插层二维磁体中的电控热辅助磁记录

对快速、可靠且节能的信息存储日益增长的需求，持续推动磁存储技术逼近其基本极限。依赖减小比特尺寸的传统缩放策略不可避免地陷入“磁记录三难困境”，即信噪比、热稳定性和可写性无法同时优化。热辅助磁记录（HAMR）已成为领先的解决方案，通过在写入周期内瞬时加热介质来实现高密度存储。然而，对激光光学和等离激元换能器的依赖将HAMR主要限制在硬盘驱动器中，限制了其与片上或嵌入式架构的集成。在此，我们展示了一种HAMR的电子变体，其中来自低电流密度电流脉冲的焦耳热促进数据写入，而反常霍尔效应提供电子读出。采用插层二维磁体Ni$_{1/4}$TaSe$_2$，我们展示了直接证据，表明电流脉冲将材料加热至其居里温度以上，在此期间，约2mT的小磁场（比矫顽场小100倍）即可实现高效的数据写入。这种全电子方法与二维磁性介质相结合，为重新审视能量辅助磁化记录创造了及时机遇，使结合基础新颖性与技术影响力的新记录方案成为可能。