扩展Hubbard链中的键电荷相互作用

我们研究了键电荷相互作用（或关联跳跃）对一维半填充扩展（即同时具有在位（$U$）和最近邻（$V$）排斥）Hubbard模型性质的影响。通过Lanczos对角化计算了有限系统的能隙和关联函数。我们发现，无论键电荷相互作用$X$的符号如何，电荷密度波（CDW）态都比自旋密度波（SDW）态更稳健。一个小的键电荷相互作用项就足以使CDW和SDW关联函数之间的差异远不如$X=0$时那么显著。对于$X=t$和固定的$V<2t$（$t$是无关联跳跃积分），在电荷有序相和对应于单占据位点的相之间存在一个中间相，我们阐明了其性质：它以一系列临界点为特征，每个临界点对应于不同的双占据位点密度。我们还发现了一个不寻常的缓慢衰减的交错自旋密度关联函数，这暗示了某种程度的序。在所检查的$X$范围内，没有发现配对关联的增强。