用于高密度存储的量子点阵列结的双稳态
介观与纳米尺度物理
2015-05-13 v1 材料科学
摘要
我们证明，具有六重简并p轨道的耦合量子点二维阵列可以表现出双稳态，适用于低功耗高密度存储器件。由于这些量子点阵列中和轨道的点间耦合，可以在x-y平面内形成二维导带，而轨道在x-y平面内保持局域化，因此它们之间的点间耦合可以忽略。我们通过考虑轨道中电子之间的在位排斥相互作用以及局域轨道与由和轨道形成的二维导带的耦合来建模此类系统。使用扩展安德森模型中的格林函数方法计算通过量子点的隧穿电流。我们发现，由于轨道之间的在位库仑相互作用与源自/轨道杂化的导带态离域性质之间的相互作用，此类系统可以存在双稳态隧穿电流。这种双稳态电流对二维带的详细能带结构不敏感，但关键取决于的强度以及左右隧穿速率的比值。当二维量子点阵列缩减为一维量子点阵列时，电双稳态行为仍可维持，这表明这些双稳态纳米结构具有高密度集成的可行性。
引用
@article{arxiv.0812.4862,
title = {Bistable states of quantum dot array junctions for high-density memory},
author = {David M. -T. Kuo and Yia-Chung Chang},
journal= {arXiv preprint arXiv:0812.4862},
year = {2015}
}