第二朗道能级中电子固体的偏压诱导击穿
介观与纳米尺度物理
2016-05-31 v2
摘要
重现整数量子霍尔 (RIQH) 态被认为是关联电子固体相，尽管其微观描述尚不清楚。随着偏置电流的增加，针对这些态测量的纵向电阻率和霍尔电阻率表现出多次急剧的击穿跃迁，这是 RIQH 态独有的特征。对多个电压探针处 RIQH 击穿特性的比较表明，这些特征可归因于击穿区与未击穿区之间的相界，该相界作为偏置电流的函数从源极和漏极接触手性地扩展，并依次经过各个电压探针。扩展的手性方向并非由边缘态本身的手性决定，而是取决于 RIQH 态的电子型或空穴型特征。
引用
@article{arxiv.1412.1921,
title = {Bias-induced breakdown of electron solids in the second Landau level},
author = {Alexander V. Rossokhaty and Silvia Lüscher and Joshua A. Folk and John D. Watson and Geoffrey C. Gardner and Michael J. Manfra},
journal= {arXiv preprint arXiv:1412.1921},
year = {2016}
}