准晶材料中位错环的偏压因子
材料科学
2021-09-13 v2 其他凝聚态物理
摘要
本文考虑辐照下准晶的空位肿胀。在准晶中，位错的演化伴随着相位子（phasons）的形成，相位子是空位型和间隙型的局域拓扑缺陷。在中等温度下，相位子的扩散率较低，导致在位错环内部形成环形或盘状的相位子尾迹。为求解具有互补相位子环的位错环对点缺陷的捕获效率，本文采用逐次超松弛法在环形几何中求解稳态漂移-扩散问题。结果表明，相位子显著降低了位错对间隙原子吸收的偏压。因此，预测准晶材料将表现出增强的抗空位肿胀能力。
引用
@article{arxiv.2109.04136,
title = {Bias factor of dislocation loops in quasicrystalline materials},
author = {Galina N. Lavrova and Anatoliy A. Turkin and Alexander S. Bakai},
journal= {arXiv preprint arXiv:2109.04136},
year = {2021}
}
备注
17 pages, 8 figures, 1 table, 21 references; typos corrected