偏压依赖的子带边缘与 0.7 电导反常
介观与纳米尺度物理
2009-11-07 v1
摘要
本文通过测量微分电导 G 随源漏偏压 V_sd 和栅源偏压 V_gs 以及温度的函数变化，研究了强约束刻蚀 GaAs/GaAlAs 量子点接触中的 0.7 2e^2/h 电导反常。在 V_gs - V_sd 平面中，我们利用跨导 dG/dV_gs 的灰度图描绘了正常与反常电导平台之间依赖于偏压的转变。我们将任一给定转变解释为漏（源）储层的偏压控制化学势 mu_d (mu_s) 穿过点接触中的子带边缘 e_a 时所引发。从灰度图中，我们提取了恒定的正常子带边缘 e_0, e_1, ...，以及最值得注意的、从 e_0 分裂出来的偏压依赖反常子带边缘 e'_0(mu_d)。通过应用最近提出的 BCF 模型的有限偏压版本，我们展示了反常子带边缘的偏压依赖性是分析与 0.7 反常相关的各种实验观察现象的关键。
引用
@article{arxiv.cond-mat/0111110,
title = {Bias dependent subband edges and the 0.7 conductance anomaly},
author = {Anders Kristensen and Henrik Bruus},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0111110},
year = {2009}
}
备注
7 pages, 9 figures, 19th Nordic Semiconductor Meeting, invited paper