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使用改进交错费米子的 $B_K$:基于 SU(3) 交错手征微扰理论的分析

高能物理 - 格点 2011-02-24 v2

摘要

我们报告了基于 SU(3) 交错手征微扰理论的分析,在 MILC asqtad 格子上使用 HYP 涂抹的交错价夸克计算 BKB_K 的更新结果。我们数据样本最重要的新特征是包含了第四种(“超细”)格距。这改善了对连续外推以及由于我们使用单圈微扰匹配所引起误差的控制。我们给出了完整的更新误差预算,结果为 BK(NDR,μ=2GeV)=0.5309±0.0051±0.0424B_K(\text{NDR}, \mu = 2 \text{GeV}) = 0.5309 \pm 0.0051 \pm 0.0424 以及 B^K=BK(RGI)=0.727±0.07±0.058\hat{B}_K = B_K(\text{RGI}) = 0.727 \pm 0.07 \pm 0.058。SU(3) 分析的结果不如基于 SU(2) 交错手征微扰理论的结果,主要原因是依赖于我们在 SU(3) 拟合中使用的贝叶斯先验。

关键词

引用

@article{arxiv.1010.4779,
  title  = {$B_K$ with improved staggered fermions: analysis using SU(3) staggered chiral perturbation theory},
  author = {Jangho Kim and Taegil Bae and Yong-Chull Jang and Hyung-Jin Kim and Jongjeong Kim and Kwangwoo Kim and Boram Yoon and Weonjong Lee and Chulwoo Jung and Stephen R. Sharpe},
  journal= {arXiv preprint arXiv:1010.4779},
  year   = {2011}
}

备注

7 pages, 6 figures, Lattice 2010 Proceeding, references updated