$\beta$-Ga$_2$O$_3$ 核心能级谱学中局域环境的原子指纹
材料科学
2016-08-31 v2
摘要
我们呈现了一项关于 -GaO 氧 边核心能级激发的理论与实验联合研究。对电子结构的详细分析揭示了导带区中 O-Ga 杂化效应的重要性。O 1 核心电子的谱主要由激子效应主导，其使吸收边整体红移 0.5 eV，并显著将强度重分配到较低能量。基于多体微扰理论获得的谱分析揭示了不等价 O 原子的原子指纹。通过比较针对不同的晶面计算得到的电子能量损失近边精细结构（ELNES）谱与在相应衍射条件下记录的测量值，我们展示了如何增强特定 O 原子的谱贡献同时抑制其他原子。这些结果表明，ELNES 结合从头算多体理论，是表征复杂体系的一种非常强大的技术，对单个原子种类及其局域环境具有敏感性。
引用
@article{arxiv.1605.05839,
title = {Atomic signatures of local environment from core-level spectroscopy in $\beta$-Ga$_2$O$_3$},
author = {Caterina Cocchi and Hannes Zschiesche and Dmitrii Nabok and Anna Mogilatenko and Martin Albrecht and Zbigniew Galazka and Holm Kirmse and Claudia Draxl and Christoph Koch},
journal= {arXiv preprint arXiv:1605.05839},
year = {2016}
}