体半导体中磁性杂质相互作用的原子尺度探测
材料科学
2018-05-16 v1
摘要
基于从头算模拟，我们展示了如何利用钝化的半导体表面，通过常规和自旋极化扫描隧道显微镜在原子尺度上研究磁性杂质的类体相互作用性质和波函数。通过将我们的方法应用于靠近 H/Si 表面的 过渡金属杂质案例，我们举例表明它们在 Si 中的波函数不如 GaAs 中的 Mn 那样扩展，从而阻碍了 Si 中的铁磁性。最后，我们讨论了该方法在其他稀磁半导体中的可能应用。
引用
@article{arxiv.1805.05745,
title = {Atomic-scale detection of magnetic impurity interactions in bulk semiconductors},
author = {Benjamin Geisler and Peter Kratzer},
journal= {arXiv preprint arXiv:1805.05745},
year = {2018}
}
备注
5 pages, 4 figures