整数量子霍尔效应的非对称非线性响应

研究了整数量子霍尔效应的非对称击穿。这种整流效应是作为电流值及其方向的函数，并结合定义霍尔条的非对称横向限制势垒而观察到的。我们通过肖特基栅极对霍尔条进行静电定义，从而能够系统控制霍尔条边缘限制势垒的陡峭程度。较软的边缘（较平坦的限制势垒）导致更稳定的霍尔平台，即在更大的电流密度下才发生击穿。对于一个软边缘和一个硬边缘，击穿电流取决于电流方向，类似于整流。这种非线性磁输运效应证实了新兴的IQHE屏蔽理论的预测。