量子霍尔系统中观察到埃廷赫森效应
介观与纳米尺度物理
2009-11-10 v2
摘要
在 GaAs/AlGaAs 二维电子体的整数量子霍尔效应破坏 regime 中观察到埃廷赫森效应。附加于电流通道两端的微型霍尔棒的电阻表现出显著的非对称行为，表明两端之间存在电子温度差。该差值的符号取决于电流方向和磁场的极性。结果与 Akera 最近的理论相一致。
关键词
引用
@article{arxiv.cond-mat/0407551,
title = {Observation of the Ettingshausen effect in quantum Hall systems},
author = {Yosuke Komori and Tohru Okamoto},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0407551},
year = {2009}
}
备注
4 pages, 6 figures, submitted to Phys. Rev. B