通过FeCl$_3$插层逼近石墨烯材料中的磁有序
介观与纳米尺度物理
2015-06-17 v1
摘要
我们展示了将大面积（1 cm）外延少层石墨烯（生长在4H-SiC上）成功插层FeCl。插层后，该系统的电阻率在室温下从平均值降至。磁电导显示出弱局域化特征，其温度依赖性典型于石墨烯Dirac费米子，表明FeCl插层结构中的每个碳层解耦为平行空穴气。相位相干长度（在280 mK时约m）仅在高于插层层二维磁有序的温度时迅速减小，而在低于FeCl分子平面间反铁磁有序的温度时趋于饱和，从而为石墨烯极端二维极限中的磁有序提供了首个证据。
引用
@article{arxiv.1506.04959,
title = {Approaching magnetic ordering in graphene materials by FeCl$_3$ intercalation},
author = {T. H. Bointon and I. Khrapach and R. Yakimova and A. V. Shytov and M. F. Craciun and S. Russo},
journal= {arXiv preprint arXiv:1506.04959},
year = {2015}
}
备注
Nano Lett, volume 14, no. 4, pages 1751-1755