应用周期缺陷模型于磷烯单空位负电缺陷
化学物理
2026-05-20 v3
摘要
我们将最近提出的周期缺陷模型（ADM）应用于磷烯单层膜中负电单空位。在传统超胞方法不同于，ADM在真实非缺陷晶体平均场中处理单个缺陷，从而避免了缺陷-缺陷相互作用以及电荷校正的需求。同时，它有效地将计算简化为片段，使得能够采用高级分子电子结构方法。收敛Hartree-Fock和关联贡献至热力学极限，得到0.81 eV的基准CCSD(T)/POB-TZVP-rev2形成能用于(5|9)配置中磷烯负电单空位。该缺陷最低三重态激发能在EOM-CCSD/POB-TZVP-rev2水平下为1.95 eV。总体而言，ADM为对固体和表面缺陷提供高度有前景的定量精确和系统可改进描述之路，弥合了固体物理学与分子量子化学之间的鸿沟。
关键词
引用
@article{arxiv.2603.23761,
title = {Application of the aperiodic defect model to a negatively charged monovacancy in phosphorene},
author = {Charlotte Rickert and Lily Barta and Ernst-Christian Flach and Daniel Kats and Denis Usvyat},
journal= {arXiv preprint arXiv:2603.23761},
year = {2026}
}