电子和空穴掺杂铜氧化物中的顶角氧与关联强度
强关联电子
2013-05-29 v1
摘要
我们利用局域密度近似结合动力学平均场理论，对典型的电子掺杂和空穴掺杂铜氧化物——NCCO和LSCO——进行了比较研究。两种材料的母体化合物都是强关联电子系统，处于金属到电荷转移绝缘体转变的临界区域。在NCCO中，磁长程序对于打开电荷转移能隙至关重要，而LSCO中的能隙则源于莫特物理。我们强调了顶角氧在决定关联强度以及使理论与多个实验测量量之间获得整体良好一致性方面的作用。给出了光导率、偏振X射线吸收和角分辨光电子能谱的结果，并与实验进行了比较。
引用
@article{arxiv.1005.3100,
title = {Apical oxygens and correlation strength in electron and hole doped copper oxides},
author = {Cedric Weber and Kristjan Haule and Gabriel Kotliar},
journal= {arXiv preprint arXiv:1005.3100},
year = {2013}
}
备注
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