通过隧穿电流调控的硅中反铁磁耦合
介观与纳米尺度物理
2015-05-30 v1 材料科学
摘要
我们报道了在外延 Fe/Si/Fe 结构中通过电压驱动的自旋极化隧穿电流增强反铁磁耦合的现象。利用弹道电子磁显微术，我们确定了热电子收集极电流反映了磁化强度的排列，且在室温下磁电流超过 200%。与磁化强度平行排列相对应的收集极电流饱和磁场随隧穿电流而升高，从而证明了反平行排列的稳定化以及反铁磁耦合的增强。我们将反铁磁耦合的增强与隧穿电子介导的局域动态自旋力矩联系起来。
引用
@article{arxiv.1109.3106,
title = {Antiferromagnetic coupling across silicon regulated by tunneling currents},
author = {R. R. Gareev and M. Schmid and J. Vancea and C. Back and R. Schreiber and D. Buergler and C. M. Schneider and F. Stromberg and H. Wende},
journal= {arXiv preprint arXiv:1109.3106},
year = {2015}
}
备注
Submitted to the Applied Physics Letters Journal