石墨烯中的反常塞贝克效应与反向传播弹道电流
介观与纳米尺度物理
2024-05-20 v1 强关联电子
摘要
塞贝克效应是指由于导体中的温度差而导致电压降感应的现象。在19世纪中叶,开尔文勋爵提出了在断路状态下塞贝克系数与化学势对温度导数之间的关系。这一关系似乎几乎是普适的,因为它同样适用于金属、半金属和半导体。然而,我们表明,由于弹道电子输运机制中的非局域效应,该关系在石墨烯中可能失效。对开尔文公式的修正源于冷热电子的反向传播非耗散电流的共存。垂直于石墨烯样品的外部磁场允许在实空间中分离冷热电流。所发展的形式体系可能有助于解释量子霍尔机制下石墨烯双层中弹道边缘电流的近期实验数据[1]。
引用
@article{arxiv.2405.10807,
title = {Anomalous Seebeck effect and counter-propagating ballistic currents in graphene},
author = {A. V. Kavokin and S. V. Kavokina and A. A. Varlamov and Yuriy Yerin},
journal= {arXiv preprint arXiv:2405.10807},
year = {2024}
}
备注
6 pages, 3 figures. Any comments are welcome