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NiPt薄膜中的反常霍尔效应

材料科学 2015-03-19 v2

摘要

我们研究了不同Ni浓度的溅射NixPt1-x薄膜中的霍尔效应。分析了温度、磁场和角度依赖性,并获得了NiPt薄膜的相图。研究发现,亚临界Ni浓度的薄膜在低温下表现出团簇玻璃行为,且在冻结温度以下具有垂直磁各向异性。超临界Ni浓度的薄膜为铁磁体,具有平行各向异性。在临界浓度下,薄膜的状态处于强烈阻挫。此类薄膜表现出倾斜磁化,其易轴随温度变化而旋转。磁性的出现经由顺磁-团簇玻璃-铁磁的连续转变,而非单一的二级相变。但最值得注意的是,反常霍尔效应在临界浓度处发生变号。我们认为这与正常金属-铁磁体量子相变时合金电子结构的重构有关。

关键词

引用

@article{arxiv.1103.0367,
  title  = {Anomalous Hall effect in NiPt thin films},
  author = {T. Golod and A. Rydh and V. M. Krasnov},
  journal= {arXiv preprint arXiv:1103.0367},
  year   = {2015}
}

备注

12 pages, 17 figures