双交换磁体中的反常霍尔效应
强关联电子
2007-05-23 v1
摘要
我们研究了最近由 Matl 等人在 CMR（庞磁电阻）材料——掺杂稀土锰氧化物中观察到的反常霍尔效应的可能起源。我们证明了双交换模型中的自旋轨道相互作用将磁化强度与三维自旋纹理相关的 Berry 相位耦合，并诱导出非零的平均拓扑通量，进而产生对横向电阻率的反常贡献。在具有轨道简并和库仑排斥的模型中，也会出现同样的效应，但涉及轨道 Berry 相位。
引用
@article{arxiv.cond-mat/9803350,
title = {Anomalous Hall Effect in Double Exchange Magnets},
author = {Yong Baek Kim and Pinaki Majumdar and A. J. Millis and Boris I. Shraiman},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/9803350},
year = {2007}
}
备注
5 pages, Revtex