CaKFe$_4$As$_4$ 中由各向异性诱导的涡旋晶格重排

利用 μ 子自旋旋转（μSR）研究了 CaKFe$_4$As$_4$ 单晶样品（临界温度 $T_{\rm c}\simeq 35$ K）中的磁穿透深度各向异性 $\gamma_\lambda=\lambda_{c}/\lambda_{ab}$（$\lambda_{ab}$ 与 $\lambda_{c}$ 分别为磁穿透深度的面内与面外分量）。对于 $T\lesssim 20$ K，$\gamma_\lambda$ 几乎与温度无关（$\gamma_\lambda\simeq 1.9$），并在接近 $T_{\rm c}$ 时达到 $\simeq 3.0$。$\gamma_\lambda$ 的变化诱导了磁通线晶格（FLL）的相应重排，这通过 FLL μSR 响应畸变的增强被清晰探测到。将 $\gamma_\lambda$ 与 Phys. Rev B {\bf 94}, 064501 (2016) 中研究的上临界场各向异性（$\gamma_{H_{\rm c2}}$）比较，揭示出在低温度下 $\gamma_\lambda$ 系统性高于 $\gamma_{H_{\rm c2}}$，并在 $T \rightarrow T_{\rm c}$ 时趋近于 $\gamma_{H_{\rm c2}}$。$\lambda$ 的各向异性性质由 CaKFe$_4$As$_4$ 中超导的多能隙本质所解释，并由不同能带对超流密度面内与面外分量的各向异性贡献引起。