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GaAs霍尔样品中的各向异性磁阻与压电效应

强关联电子 2017-04-05 v1

摘要

在本工作中,我们论证了各向异性相互作用势即使在通常预期只会出现各向同性量子霍尔态或各向同性费米液体态的强磁场区域,也可能稳定电子的各向异性液相。我们利用这一方法支持了一个理论框架,该框架设想了电子在最低朗道能级中处于各向异性液晶态的可能性。具体而言,我们论证了对于给定的各向异性库仑相互作用势,在填充因子 ν=1/6\nu=1/6 附近靠近液-固转变区域,电子的各向异性液态可以在最低朗道能级中稳定存在。针对具有破缺旋转对称性的液晶态的量子蒙特卡罗模拟表明,液晶序的稳定性与最低朗道能级填充因子 ν=1/6\nu=1/6 处由各向异性稳定的电子各向异性液态的存在相一致。

关键词

引用

@article{arxiv.1704.00815,
  title  = {Anisotropic magnetoresistance and piezoelectric effect in GaAs Hall samples},
  author = {Orion Ciftja},
  journal= {arXiv preprint arXiv:1704.00815},
  year   = {2017}
}

备注

10 pages, 7 figures