通过铜插层在黑磷中形成埃级宽导电通道
材料科学
2021-08-11 v1
摘要
插层是改善和调控二维材料性质的有效方法。即便如此，在原子尺度上实现空间可控的插层——这对引入和调控性质十分重要——由于难以控制插层剂的扩散而尚未成功。在此，我们展示了通过 Cu 插层在黑磷中形成埃级宽导电通道（约 4.3 Å）。通过透射电子显微镜（包括原位观察）、DFT 计算和导电原子力显微镜，我们广泛研究了 Cu 插层在黑磷中引起的原子结构、由此产生的微观结构效应、插层机制以及被调控的电子性质的局域变化。
引用
@article{arxiv.2101.08447,
title = {Angstrom-wide conductive channels in black phosphorus by Cu intercalation},
author = {Suk Woo Lee and Lu Qiu and Jong Chan Yoon and Yohan Kim and Da Li and Inseon Oh and Gil-Ho Lee and Jung-Woo Yoo and Hyung-Joon Shin and Feng Ding and Zonghoon Lee},
journal= {arXiv preprint arXiv:2101.08447},
year = {2021}
}