黑磷表面的各向异性二维屏蔽
介观与纳米尺度物理
2019-11-27 v2
摘要
低维下的屏蔽对范德瓦耳斯半导体的电子性质有强烈影响，作用于准粒子带隙与激子束缚能。这些材料中的屏蔽通常各向同性地处理，然而黑磷在其有效质量、载流子迁移率、激子波函数与等离激元色散中均表现出面内电子各向异性。本文中，我们利用黑磷表面单个钾原子的吸附在宽范围内改变近表面掺杂，同时经由吸附原子的有序化探测介电屏蔽。利用扫描隧道显微镜，我们可视化了强各向异性屏蔽的作用，其导致具有明确取向与间距的钾链的形成。我们利用统计方法量化平均相互作用势，发现屏蔽的维度与各向异性与表面附近能带弯曲诱导的限域势的存在一致。我们通过角分辨光电子能谱的覆盖度依赖电子结构研究佐证了所观测行为。
引用
@article{arxiv.1906.02627,
title = {Anisotropic two-dimensional screening at the surface of black phosphorus},
author = {Brian Kiraly and Elze J. Knol and Klara Volckaert and Deepnarayan Biswas and Alexander N. Rudenko and Danil A. Prishchenko and Vladimir G. Mazurenko and Mikhail I. Katsnelson and Philip Hofmann and Daniel Wegner and Alexander A. Khajetoorians},
journal= {arXiv preprint arXiv:1906.02627},
year = {2019}
}