角分辨光探测磁共振作为纳米结构中应变测定的工具
介观与纳米尺度物理
2024-06-18 v2 材料科学
摘要
在本文中，我们应用角分辨光探测磁共振（ODMR）技术研究由分子束外延制备的一系列应变 (Cd, Mn)Te/(Cd, Mg)Te 量子阱（QWs）。通过分析 ODMR 角扫描的特征，我们以 neV 精度确定了应变诱导的轴对称自旋哈密顿量参数 D。此外，我们利用低温光学反射测量与 X 射线衍射扫描来评估量子阱材料中的局域应变。在我们的分析中，考虑了 GaAs 衬底与 CdTe 缓冲层不同的热膨胀系数。由热膨胀效应引起的附加形变与源于样品不同组分的形变量级相同。基于所评估的形变与应变诱导的轴对称自旋哈密顿量参数 D，我们得到 CdTe 中 Mn2+ 的应变自旋-晶格系数 G11 = (72.2 ± 1.9) neV，以及 CdTe 的剪切形变势 b = (-0.94 ± 0.11) eV。
引用
@article{arxiv.2106.06451,
title = {Angle-resolved optically detected magnetic resonance as a tool for strain determination in nanostructures},
author = {A. Bogucki and M. Goryca and A. Łopion and W. Pacuski and K. E. Połczyńska and J. Domagała and M. Tokarczyk and T. Fąs and A. Golnik and P. Kossacki},
journal= {arXiv preprint arXiv:2106.06451},
year = {2024}
}