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MnTe中巨型应变诱导的自旋分裂效应:一种g波型反变磁半导体

材料科学 2025-02-25 v2 介观与纳米尺度物理

摘要

六方MnTe是一种具有g波自旋极化在动量空间中对称性的反变磁半导体。在非相对论极限下,这种对称性要求任何晶体方向上的电流都是无偏振的。然而,已证明弹性应变对MnTe诱导自旋分裂效应非常有效。为了进行此分析,推导了价带最高点处A点的自旋轨道耦合k·p哈密顿量,并拟合到来自第一性原理计算的本征值。使用弛豫时间近似计算自旋分裂角。价带最高点附近的自旋分裂gauge因数超过20。因此,通过合适的基片工程,MnTe可用于自旋器件中的高效自旋电流源和探测器。正确描述MnTe传输性质的关键在于包含Rashba-Dresselhaus自旋轨道耦合。

关键词

引用

@article{arxiv.2407.20440,
  title  = {Giant strain-induced spin splitting effect in MnTe, a $g$-wave altermagnetic semiconductor},
  author = {K. D. Belashchenko},
  journal= {arXiv preprint arXiv:2407.20440},
  year   = {2025}
}

备注

7 pages, 3 figures