Bi$_{2}$X$_{3}$（X = Se, Te）拓扑绝缘体中的 Andreev 反射谱：对 c 轴超导邻近效应的启示
超导电性
2018-11-02 v2
摘要
利用 Andreev 反射（AR）作为超导邻近效应（PE）的实验量度，我们评估了由 s 波超导体与拓扑绝缘体 BiX（X=Se,Te）之间 c 轴 PE 所诱导的超导性的拓扑纯度。在 4.2 K 下，用 Nb 针尖在 BiX 单晶上进行点接触 AR 谱测量。还使用了扫描隧道谱来定位晶体中费米能级 相对于狄拉克点的位置。AR 数据采用 Blonder-Tinkham-Klapwijk 理论进行分析，并考虑了针尖诱导的自旋轨道耦合、费米面失配，以及 处体带与拓扑表面态的共存。我们的结果表明，可邻近诱导进入 BiX 的超导性主要是非拓扑的。
引用
@article{arxiv.1711.00144,
title = {Andreev reflection spectroscopy on Bi$_{2}$X$_{3}$ (X = Se, Te) topological insulators: Implications for the c-axis superconducting proximity effect},
author = {C. R. Granstrom and I. Fridman and H. -C. Lei and C. Petrovic and J. Y. T. Wei},
journal= {arXiv preprint arXiv:1711.00144},
year = {2018}
}