Pfaffian分数量子霍尔效应中的类Andreev反射

我们研究了Pfaffian分数量子霍尔态边缘与整数量子霍尔态边缘之间的隧穿输运。基于强隧穿与弱隧穿之间的对偶性论证,我们发现强隧穿区出现了类Andreev反射。我们计算了低电压极限下弱隧穿与强隧穿区的电荷电导。在弱隧穿极限下,$dI/dV$正比于$V^{1/\nu}$,其中偏置电压为$V$,$\nu=1/2$。相比之下,在强隧穿极限下,$dI/dV$由$(e^{2}/h)2\nu/(1+\nu)$加上修正项表示。我们期望该条件可在$\nu=5/2$分数量子霍尔态与$\nu=3$整数量子霍尔态之间的点接触处实验实现。