分数量子霍尔 regime 中的边缘隧穿
强关联电子
2007-05-23 v2 介观与纳米尺度物理
摘要
我们讨论分数量子霍尔 regime 下从金属向二维电子气边缘电子隧穿的 I-V 特征理论与实验之间明显分歧的问题。我们结果的一部分是关于半填充朗道能级边缘的理论。
引用
@article{arxiv.cond-mat/9809160,
title = {Edge tunneling in fractional quantum Hall regime},
author = {Dung-Hai Lee and Xiao-Gang Wen},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/9809160},
year = {2007}
}
备注
ReVTeX, 4 pages