负电容 MFIS-FET 中多畴的分析建模与动力学
应用物理
2020-11-10 v1
摘要
本文给出了金属-铁电-绝缘体-半导体(MFIS)-FET 中多畴(MD)的分析建模与动力学。多畴的形成导致沟道中导带出现振荡，并在铁电区局部电场中呈现周期性。模型中利用畴壁速度概念刻画了二维局部电场对多畴翻转的影响。计算得到了对应于单畴器件工作的氧化层厚度、铁电层厚度与沟道长度的最优值。偏离最优器件参数会引起铁电体中单畴态向多畴态的转变。本工作可作为设计 MFIS-NCFET 的指南，其给出了使 MFIS-NCFET 呈单畴态的器件参数。
引用
@article{arxiv.2011.03986,
title = {Analytical modeling and Dynamics of Multi-Domains in Negative-Capacitance MFIS-FETs},
author = {Nilesh Pandey and Yogesh Singh Chauhan},
journal= {arXiv preprint arXiv:2011.03986},
year = {2020}
}