掺铋硅中量子相干性的分析:一个强耦合自旋量子比特系统

M. H. Mohammady; G. W. Morley; A. Nazir; T. S. Monteiro

doi:10.1103/PhysRevB.85.094404

掺铋硅中量子相干性的分析:一个强耦合自旋量子比特系统

量子物理 2012-07-05 v5 材料科学原子物理

作者: M. H. Mohammady , G. W. Morley , A. Nazir , T. S. Monteiro

在 arXiv 上查看 ↗ PDF ↗ DOI ↗

摘要

人们对掺铋硅(Si:Bi)作为使用掺磷硅(Si:P)的硅基量子信息处理(QIP)方案的替代方案越来越感兴趣。我们在此关注其异常强的超精细耦合的影响。特别是,我们详细分析了最近的脉冲磁共振实验所展示的通过利用高场下电子顺磁共振(EPR)禁戒跃迁实现量子门数量级加速的机制。我们还使用唯象的马尔可夫主方程进行了计算,该方程模拟了由于高斯时间磁场扰动导致的电子自旋退相干。该模型量化了某些“最佳工作点”的优势,这些工作点被识别为 $df/dB=0$ 区域(其中 $f$ 是跃迁频率),以频率最小值和最大值的形式出现。我们表明,在这些区域,由于电子自旋与 $z$ 方向(通常是绝热的)上的波动磁场相互作用引起的退相位被完全消除。

关键词

掺铋硅量子相干性自旋量子比特超精细耦合量子门退相干最佳工作点

引用

@article{arxiv.1006.3282,
  title  = {Analysis of quantum coherence in bismuth-doped silicon: a system of strongly coupled spin qubits},
  author = {M. H. Mohammady and G. W. Morley and A. Nazir and T. S. Monteiro},
  journal= {arXiv preprint arXiv:1006.3282},
  year   = {2012}
}

备注

15 pages, 9 figures

掺铋硅中量子相干性的分析:一个强耦合自旋量子比特系统

摘要

关键词

引用

备注

相关论文