双量子点低能响应分析及可能涌现的 SU(4) 近藤态

我们研究了自旋和赝自旋激发简并 regime 下双量子点的低能行为。单个量子点由具有在位相互作用 $U$ 的安德森杂质模型描述，并通过小于 $U$ 的点间相互作用 $U_{12}$ 进行电容耦合。低能响应函数用重整化参数表示，这些参数可通过数值重整化群计算中的不动点分析推导得出。在自旋和赝自旋自由度变得简并的点处，自由准粒子激发具有 $\pi/4$ 的相移和四重简并。然而，我们发现，当包含准粒子相互作用时，低能有效模型仅在特殊情况 $U_{12}=U$ 下具有 SU(4) 对称性，除非 $U$ 和 $U_{12}$ 均大于导带电子浴的半带宽 $D$。我们表明，最近实验中观察到的温度依赖微分电导的门电压依赖性，可以通过具有温度依赖重整化参数的准粒子态密度来描述。