时空依赖场中半导体中的类 Sauter-Schwinger 效应
介观与纳米尺度物理
2018-01-18 v4 高能物理 - 理论
摘要
Sauter-Schwinger 效应预测通过强电场诱导的量子真空隧穿产生电子-正电子对。不幸的是，所需的场强极大，这一量子场论的基本预测尚未得到实验验证。在这里，我们研究在何种条件和近似下，适当半导体中的带间隧穿可以有效地由相同的（Dirac）哈密顿量支配，特别是对于依赖于空间和时间的电场。这种定量类比将使我们能够通过这些实验室模拟来检验该领域的一些预测（如动力学辅助的 Sauter-Schwinger 效应）。
引用
@article{arxiv.1503.07108,
title = {Analog Sauter-Schwinger effect in semiconductors for spacetime-dependent fields},
author = {Malte F. Linder and Axel Lorke and Ralf Schützhold},
journal= {arXiv preprint arXiv:1503.07108},
year = {2018}
}
备注
19 pages REVTeX, 6 (sub)figures, v3: completely rewritten, now intended for publication, v4: final version