具有有机顶部接触的氧化铝/n-Si 场效应反型层太阳能电池
材料科学
2012-12-04 v2
摘要
我们展示了一种新型太阳能电池，它利用在 n-Si 与 Al2O3 界面处形成的固定负电荷，通过静电排斥在 Si 表面产生强反型。在该界面处发现了高达 755 mV 的内建电压。为了利用这一巨大的内建电压，我们提出了一种新的光伏器件概念，其中在该反型层中产生的光电流，通过由高功函数 PEDOT:PSS 顶部接触诱导的反型层进行提取，该顶部接触沉积在钝化且诱导偶极的分子单层之上。关于分子单层对器件性能影响的结果显示，对于中等掺杂的 Si，开路电压高达 550 mV，证明了该接触结构在消除费米能级钉扎方面的有效性，而费米能级钉扎曾阻碍了过去利用 n 型 Si 开发此类太阳能电池的努力。
引用
@article{arxiv.1209.2857,
title = {Aluminum oxide n Si field effect inversion layer solar cells with organic top contact},
author = {A. S. Erickson and N. K. Kedem and A. E. Haj-Yahia and D. Cahen},
journal= {arXiv preprint arXiv:1209.2857},
year = {2012}
}
备注
19 pages, 5 figures