基于 AFM 结合盲针尖重建的哈梅克常数测定
应用物理
2022-08-16 v1
摘要
极紫外（EUV）光掩模的颗粒污染是纳米级半导体制造中众多挑战之一，因为当受扰图案在 EUV 曝光期间重复投影到晶圆上时，会导致系统性器件失效。理解颗粒污染的粘附是制定光掩模清洗策略的关键。本工作中，颗粒污染被视为一个颗粒–平面问题，其中表面粗糙度和相互作用材料具有主要影响。为此，我们进行真空原子力显微镜（AFM）接触测量以量化针尖与样品间的范德华（vdW）力。我们将其引入为一种结合数值哈梅克（Hamaker）理论与盲针尖重建（BTR）的真空 AFM 基方法。我们已确定硅（Si）针尖分别与铝氧化物（）和原生二氧化硅（）位于 Si 衬底上的材料体系的哈梅克常数为 和 。我们的方法提供了一种替代性、快速且低成本的途径，可在正确数量级上表征任意材料组合的哈梅克常数。
引用
@article{arxiv.2208.06822,
title = {AFM-based Hamaker Constant Determination with Blind Tip Reconstruction},
author = {Benny Ku and Ferdinandus van de Wetering and Jens Bolten and Bart Stel and Mark A. van de Kerkhof and Max C. Lemme},
journal= {arXiv preprint arXiv:2208.06822},
year = {2022}
}