耦合 III-V 纳米线到光子集成电路的高级结构
介观与纳米尺度物理
2026-03-16 v1
摘要
本工作实现了一个基于嵌入纳米线中的半导体量子点的混合器件，以桥接非连续曲面波导结构。该几何结构利用光子结构之间的本征耦合，以恢复来自该器件两个输出端的单光子。对不同器件输出面进行了自相关和交叉相关测量。我们展示了来自纳米线两个端点的单光子发射，适用于中性、X 和 XX 以及带电 X- 类光子激子复合物。我们进一步展示了通过从不同面收集每个复合物来实现级联 XX-X 发射。这项工作为利用量子发射器的多向集成构建芯片架构奠定了基础。
引用
@article{arxiv.2603.12443,
title = {Advanced architectures for coupling III-V nanowires to photonic integrated circuitry},
author = {Edith Yeung and Kataryna Sorensen and David B. Northeast and Maziyar Milanizadeh and Philip J. Poole and Robin L. Williams and Dan Dalacu},
journal= {arXiv preprint arXiv:2603.12443},
year = {2026}
}