单层3D可堆叠1T1C DRAM的穿透锁与浮体效应
高能物理 - 理论
2025-11-04 v1 广义相对论与量子宇宙学
摘要
单层3D可堆叠1T1C DRAM技术正日益流行，已有初步原型报道。本工作聚焦于穿透锁效应与浮体效应之间的复杂相互作用，进行系统可靠性研究。首先，基于3D DRAM mini阵列的TCAD模型，分类讨论不同相邻单元的情况，表明由于电荷迁移引起的著名穿透锁效应在2D DRAM中显著减弱。然而，纳入考虑浮体特征的硅栅极晶体管的击穿模型后，垂直堆叠单元之间的电容耦合被显著加剧。其次，本文深入探讨浮体效应本身。系统检验了该效应对关键设备参数的依赖，包括体厚度、掺杂浓度和栅极工作函数。
引用
@article{arxiv.2511.00636,
title = {AdS$_3$ Quantum Gravity and Finite $N$ Chiral Primaries},
author = {Ji Hoon Lee and Wei Li},
journal= {arXiv preprint arXiv:2511.00636},
year = {2025}
}
备注
71 pages