碳纳米管上三甲基铝原子层沉积过程的从头算研究——一种替代初始步骤
介观与纳米尺度物理
2017-07-03 v1 化学物理
摘要
碳纳米管（CNTs）的电子应用需要在管上沉积介电薄膜，同时保持其优异的电子特性。在我们的密度泛函理论研究中，我们使用三甲基铝（TMA）原子层沉积（ALD）作为 CNT 功能化的模型工艺。由于该功能化依赖于 OH 基团的存在，CNT 暴露于水或氧气预处理中。我们表明，只有具有单空位缺陷的 CNT 能够与 HO 或 O 反应。此外，该缺陷优先被氧饱和。这使得 CNT 缺乏用于第一次 TMA 添加所需的羟基。因此，我们提出了一种替代初始步骤，之后可在 CNT 上进行经典的 TMA ALD 工艺。
引用
@article{arxiv.1706.10056,
title = {Ab-initio Study of the Trimethylaluminum Atomic Layer Deposition Process on Carbon Nanotubes - An Alternative Initial Step},
author = {A. Förster and C. Wagner and J. Schuster and J. Friedrich},
journal= {arXiv preprint arXiv:1706.10056},
year = {2017}
}
备注
7 pages, 6 figures, 2 tables, supplemental: 2 pages, 5 figures