基于 Wannier 函数的第一性原理电子-缺陷相互作用计算
材料科学
2020-03-19 v1
摘要
由于计算成本，从第一性原理计算电子-缺陷（e-d）相互作用一直不切实际。本文我们开发了一种基于最大局域化 Wannier 函数（WFs）的插值方案，以高效计算 e-d 相互作用矩阵元。插值得到的矩阵元能准确复现直接无插值计算的矩阵元，且该方案可显著加速 e-d 弛豫时间与缺陷限制电荷输运的计算。我们展示了硅与铜中空位缺陷的示例计算，其中我们在精细均匀与随机布里渊区网格（对铜还直接在费米面上）计算了 e-d 弛豫时间，以及低温下的缺陷限制电阻率。我们的插值方法为存在缺陷时载流子动力学的原子尺度计算打开了大门。
引用
@article{arxiv.1910.14516,
title = {Ab initio electron-defect interactions using Wannier functions},
author = {I-Te Lu and Jinsoo Park and Jin-Jian Zhou and Marco Bernardi},
journal= {arXiv preprint arXiv:1910.14516},
year = {2020}
}