薄晶体中小碰撞参数离子沟道效应的研究

我们记录了 1 至 2 MeV 质子沿 55 nm 厚硅晶体的 <111> 轴对准所产生的沟道图案，这些图案在直至并超过轴向临界角 $\psi(a)$ 的偏转角范围内表现出特征角结构。这种大的角偏转是由入射到具有小碰撞参数的原子串上的离子产生的，导致其轨迹在离开薄晶体前穿过几个原子串的径向环。每个环可以在横向方向上聚焦、引导或散射沟道离子，由此产生的在超过 $0.6\psi(a)$ 时不同深度处的特征角结构可与核碰撞概率的峰和谷相关联。这种径向聚焦是薄晶体中其他轴向沟道现象的基础，包括小碰撞参数轨迹的平面沟道、小倾角下围绕方位角分布的峰值，以及倾角超过 $\psi(a)$ 时核碰撞概率的大肩部。