Cu2ZnSnS4薄膜能带隙温度关系的研究
材料科学
2011-10-05 v1
摘要
在77至410 K的温度范围内，研究了Cu2ZnSnS4薄膜的温度依赖带隙能量。使用经验和半经验模型计算了解释基本带隙温度变化的各种相关参数。在所评估的模型中，Varshni模型和Pässler模型在中温范围内与实验数据吻合最佳。然而，Bose-Einstein模型在整个评估温度范围内拟合得相当好。计算得到的拟合参数与使用Madelung-Einstein近似和Hailing方法估算的德拜温度值吻合良好。
引用
@article{arxiv.1107.3890,
title = {A Study of Energy Band Gap Temperature Relationships for Cu2ZnSnS4 Thin Films},
author = {Prashant K Sarswat and Michael L Free},
journal= {arXiv preprint arXiv:1107.3890},
year = {2011}
}
备注
3 Figures