一个简单的能量损失模型及其在硅探测器中的应用
数据分析、统计与概率
2012-08-03 v1 高能物理 - 实验
摘要
带电粒子在硅中的能量损失可以用一个简单的解析模型来近似。借助击中簇各通道中测得的电荷沉积，可以估计它们的位置和能量。低于阈值的沉积值和饱和值得到了正确处理，从而带来了更宽的动态范围。所提出的方法在击中位置和能量残差上均给出了改进。该模型已成功应用于径迹微分能量损失估计和探测器增益校准任务。
引用
@article{arxiv.1111.3213,
title = {A simple energy loss model and its applications for silicon detectors},
author = {Ferenc Sikler},
journal= {arXiv preprint arXiv:1111.3213},
year = {2012}
}
备注
22 pages, 21 figures, submitted to Nucl. Instrum. Meth. A