淬火无序介质中生长界面的综述
统计力学
2007-05-23 v1
摘要
我们综述了能够解释流体在多孔介质中渗吸的两个主要模型。这些模型属于有向渗流去钉扎（DPD）普适类，由Tang和Leschhorn [Phys. Rev A 45, R8309 (1992)] 与Buldyrev等人 [Phys. Rev. A 45, R8313 (1992)] 同时提出，并由Braunstein等人 [J. Phys. A 32, 1801 (1999); Phys. Rev. E 59, 4243 (1999)] 进行了综述。尽管这些模型已被归类为与具有淬火噪声的Kardar-Parisi-Zhang方程（QKPZ）[Phys. Rev. Lett. 56, 889, (1986)]相同的普适类，但它们对生长机制的贡献却截然不同。DPD模型中的横向贡献导致临界点附近的粗糙度增加，而在QKPZ方程中，这一贡献总是使粗糙度趋于平坦。这些结果表明，即使从该方程推导出的指数与从这些模型模拟中获得的指数相似，QKPZ方程也不能恰当地描述DPD模型。这一事实通过为Tang和Leschhorn模型推导出的解析方程得到了证实。该方程与QKPZ方程具有相同的对称性，但其系数取决于驱动力与淬火噪声之间的平衡。
引用
@article{arxiv.cond-mat/9907036,
title = {A review of growing interfaces in quenched disordered media},
author = {L. A. Braunstein and R. C. Buceta and A. Diaz-Sanchez and N. Giovambattista},
journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/9907036},
year = {2007}
}
备注
20 pages and 11 figures