一种具有40nm有效控制间距的新型FDSOI自旋量子比特平台
介观与纳米尺度物理
2023-04-10 v1
摘要
操控硅量子点（QD）阵列需要具有激进栅极间距的均匀且超密集结构。这种密度对于分别控制量子点的化学势（即每个量子点的电荷占据）与交换相互作用（即每个量子点之间的隧穿势垒）是必要的。我们在此提出一种新颖的硅量子器件集成方案，其将有效栅极间距减半，并在一维FDSOI量子点阵列中提供完全可控性。通过数值模拟探讨了该架构的主要优势。所制备结构的功能通过300K统计电学表征得到验证，而隧穿耦合控制在低温下得到演示。
引用
@article{arxiv.2304.03721,
title = {A new FDSOI spin qubit platform with 40nm effective control pitch},
author = {T. Bédécarrats and B. Cardoso Paz and B. Martinez Diaz and H. Niebojewski and B. Bertrand1 and N. Rambal and C. Comboroure and A. Sarrazin and F. Boulard and E. Guyez and J. -M. Hartmann and Y. Morand and A. Magalhaes-Lucas and E. Nowak and E. Catapano and M. Cassé and M. Urdampilleta and Y. -M. Niquet and F. Gaillard and S. De Franceschi and T. Meunier and M. Vinet},
journal= {arXiv preprint arXiv:2304.03721},
year = {2023}
}