单片式辐射压驱动低相位噪声氮化硅光机械振荡器
光学
2011-11-21 v1
摘要
腔光力学实现的辐射压（RP）驱动振荡器此前已被证明可提供全光射频（RF）源，无需外部电学反馈。然而，这些振荡器需要外部锥形光纤或棱镜耦合，且采用非标准制备工艺。本工作中，我们提出一种与CMOS兼容的制备工艺，用于在氮化硅中设计高光学品质因数的光机械谐振器。该工艺设计的环形谐振器展示了低相位噪声的辐射压驱动振荡。利用集成光栅耦合器和波导将光耦合至微谐振器，消除了此前演示中在载波近频处存在的1/f^3及其他高阶相位噪声斜率。我们展示了一种辐射压驱动的光机械振荡器，工作频率为41.97 MHz，信号功率为-11 dBm，在1 kHz频偏处相位噪声为-85 dBc/Hz，且在距载波10 Hz频偏以下仅存在1/f^2噪声。
引用
@article{arxiv.1109.3222,
title = {A Monolithic Radiation-Pressure Driven, Low Phase Noise Silicon Nitride Opto-Mechanical Oscillator},
author = {Siddharth Tallur and Suresh Sridaran and Sunil A. Bhave},
journal= {arXiv preprint arXiv:1109.3222},
year = {2011}
}