利用高Q值有源模式片上MEMS谐振器改善相位噪声基本极限的毫米波振荡器设计
信号处理
2021-07-06 v1
摘要
（RFT）可实现极高Q值的有源模式谐振器，为毫米波系统提供了无晶体的单片时钟生成方案。然而，迫切需要设计能够最优利用有源模式RFT（AM-RFT）高Q值的毫米波振荡器，同时应对诸如谐振器低机电换能等独特挑战。在本简报中，我们建立了一套理论，并通过在14 nm Global Foundry工艺中进行设计与版图后仿真，展示了首个采用AM-RFT的30 GHz有源振荡器，其相比采用传统LC谐振器的振荡器改善了相位噪声与品质因数的基本极限。对于Q因子为10K的AM-RFT，版图后仿真结果表明，所提出的振荡器在30 GHz中心频率、1 MHz频偏处表现出低于-140 dBc/Hz的相位噪声和大于228 dBc/Hz的品质因数，比现有单片LC振荡器优25 dB以上。
引用
@article{arxiv.2107.01953,
title = {A mmWave Oscillator Design Utilizing High-Q Active-Mode On-Chip MEMS Resonators for Improved Fundamental Limits of Phase Noise},
author = {Abhishek Srivastava and Baibhab Chatterjee and Udit Rawat and Yanbo He and Dana Weinstein and Shreyas Sen},
journal= {arXiv preprint arXiv:2107.01953},
year = {2021}
}