基于 Rabi 驱动隧穿确定自旋量子比特 Zeeman 能级分裂的方法

我们表明，当电子自旋量子比特在量子点中自旋上和下态之间进行共挡驱动时，会通过与经过调谐的导体之间的隧穿泄漏来减少点内载流子占据。靠在附近的 charge 传感器测量点内占据情况，即可在扫描驱动频率时检测到窄的共挡条件。与建构和操控量子信息处理系统有关的噪声和热环境的相互作用是其内在组成部分。本工作是如何将“开放量子系统”视角的方法融入量子器件描述中的一个例子。本文所采用的方法捕捉了 Rabi 驱动作用于电子隧穿进入导体自旋态的相干动力学，并给出在共挡或非共挡驱动下， interaction-picture 中密度矩阵运动方程的完整表达式。