面向超低接触电阻提取的高分辨率传输线模型及反嵌入结构
信号处理
2025-04-30 v1
摘要
本文提出了一种采用反嵌入结构校准的接触电阻提取方法，称为高分辨率传输线模型（HR-TLM）。HR-TLM 的基础设施类似于精炼传输线模型（RTLM）或精炼-梯形模型（R-LTLM），但针对校准方法进行了优化。其优势在于保持低接触电阻 ρ_c 提取精度，同时显著降低结构工艺误差的影响。根据误差分析模型，我们验证了基于 R-LTLM 的 HR-TLM 在微米级 lithography 精度下，提取精度可达 10^-9 Ω·cm²。
引用
@article{arxiv.2504.20439,
title = {A High-Resolution Transmission Line Model with De-embedding Structure for Ultralow Contact Resistivity Extraction},
author = {Xuanyu Jia and Hongxu Liao and Ming Li},
journal= {arXiv preprint arXiv:2504.20439},
year = {2025}
}