利用高通量计量方法对硅太阳能电池进行详细的性能损失分析
应用物理
2019-03-06 v1 数据分析、统计与概率
摘要
在这项工作中，使用新颖的高通量计量方法对约 400 片来自同一生产线的工业晶体硅太阳能电池进行了详细的性能损失分析。表征序列包括一种非破坏性的传输长度方法（TLM）测量技术，其特征是隐藏在电池汇流条区域内的圆形 TLM 结构。它还包括一种非常快速的外部量子效率与反射率测量技术。更传统的测量，如光照电流-电压、Suns-VOC 和光致发光成像，也被用于开展损失分析。针对这一大批工业太阳能电池，研究并量化了各个损失参数的方差及其对电池性能的影响。发现了所测损失参数之间的一些重要相关性。这些分布与相关性的性质为电池中的损失机制提供了重要见解，并有助于优先安排优化生产线性能的工作。
引用
@article{arxiv.1903.01985,
title = {Detailed Performance Loss Analysis of Silicon Solar Cells using High-Throughput Metrology Methods},
author = {Mohammad Jobayer Hossain and Geoffrey Gregory and Hardik Patel and Siyu Guo and Eric J. Schneller and Andrew M. Gabor and Zhihao Yang and Adrienne L. Blum and Kristopher O. Davis},
journal= {arXiv preprint arXiv:1903.01985},
year = {2019}
}
备注
5 pages, 6 figures, conference