准拓扑系统的李eb-施特拉茨-马蒂斯定理

Z. Y. Chen; H. J. Xiang; Jinlong Yang; J. G. Hou; Qingshi Zhu

doi:10.1103/PhysRevB.74.012102

准拓扑系统的李eb-施特拉茨-马蒂斯定理

材料科学 2007-05-23 v3

作者: Z. Y. Chen , H. J. Xiang , Jinlong Yang , J. G. Hou , Qingshi Zhu

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摘要

本文我们关注一类局域哈密顿量的谱差是否存在的问题。这些哈密顿量具有以下特性: 其 ground state 已知; 所有局部算子的平时关联函数均为短程; 某些非局部算子的关联函数呈临界行为。变分论证表明，在由哈密顿量中缺失某些项所定义的临界点上，gaplessness 伴随着 $\omega \propto k^2$ ，这一点尤为突出，因为局部算子的平时关联函数仍保持短程。我们将此类临界点称为准拓扑，因为在其中空间标度与时间标度截然不同。当这些项被包含在哈密顿量中时，这些模型处于具有特殊兴趣于拓扑量子计算情境下的 gapped 拓扑相中。

关键词

李eb-施特拉茨-马蒂斯定理准拓扑系统谱差局域哈密顿量拓扑相

引用

@article{arxiv.cond-mat/0508506,
  title  = {A hard metallic material: Osmium Diboride},
  author = {Z. Y. Chen and H. J. Xiang and Jinlong Yang and J. G. Hou and Qingshi Zhu},
  journal= {arXiv preprint arXiv:cond-mat/0508506},
  year   = {2007}
}

备注

Figures improved

准拓扑系统的李eb-施特拉茨-马蒂斯定理

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关键词

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