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原子电子学晶体管中由振动诱导的莫特绝缘体的频率与振幅一般公式

量子气体 2025-11-11 v3

摘要

通过选择特定的驱动频率与振幅比,可以在驱动光学晶格中实现原子输运的莫特绝缘体,这已被作为具有不含时有效哈密顿量方法的 Floquet 工程加以研究。在此,我们利用瞬时本征态方法的数值计算,给出了在双阱开放系统中实现驱动诱导的绝缘体-导体转变的频率-振幅比的一般公式。该结果归因于与不含时有效哈密顿量方法相比,瞬时本征态方法适用于更宽的参数范围。从量子主方程结果的分析表明,绝缘体效应源于原子波包在光学阱中的相干局域化。

关键词

引用

@article{arxiv.2403.11355,
  title  = {A general formula of frequency and amplitude for shaking induced Mott insulator in atomtronic transistors},
  author = {Wenxi Lai and Yu-Quan Ma and Yi-Wen Wei},
  journal= {arXiv preprint arXiv:2403.11355},
  year   = {2025}
}

备注

12 pages, 6 figures