一种基于2D加权电容阵列的数字/模拟混合SRAM-CIM存储器宏，实现复数MAC运算
硬件体系结构
2025-08-26 v1
摘要
本文提出一种28nm稠密6T-SRAM数字(D)/模拟(A)混合计算存储器(CIM)存储器宏，支持复数MAC运算。通过引入2D加权电容阵列，采用混合配置，仅对高位应用数字CIM，对低位应用模拟CIM，无需输入DAC，提高了精度并降低了面积开销。CIM原型存储器宏实现了1.80 Mb/mm2的存储器密度和0.435%的均方根误差。CIM单元输出实部和虚部，通过单次转换以减少延迟。
引用
@article{arxiv.2508.17562,
title = {A 28nm 1.80Mb/mm2 Digital/Analog Hybrid SRAM-CIM Macro Using 2D-Weighted Capacitor Array for Complex Number Mac Operations},
author = {Shota Konno and Che-Kai Liu and Sigang Ryu and Samuel Spetalnick and Arijit Raychowdhury},
journal= {arXiv preprint arXiv:2508.17562},
year = {2025}
}
备注
Asian Solid-State Circuits Conference (A-SSCC) 2025